Samsung анонсировала память zHBM и zNAND-O, показала LPDDR5X-PIM и V10 BV-NAND

Производители памяти уже смотрят в более далёкое будущее, в котором у прирастающей числовыми индексами HBM появятся более прогрессивные преемники. Компания Samsung Electronics собирается продвигать память типа zHBM, которая обещает обладать в восемь раз более высоким быстродействием по сравнению с HBM5. При этом плотность хранения данных окажется более чем в 10 раз выше.

Энергетическая эффективность zHBM будет в три раза превосходить HBM5, а тепловое сопротивление сократится более чем в два раза. Секрет высокого быстродействия и высокой энергетической эффективности zHBM кроется в технологии объединения нескольких кремниевых пластин, которая позволяет реализовать десятки тысяч каналов передачи информации в одном стеке. Ещё одно преимущество zHBM заключается в способности монтажа стека памяти непосредственно на графический процессор (GPU). В современной компоновке память HBM разных поколений располагается на одной подложке с GPU в горизонтальной плоскости. Кроме того, zHBM поддерживает интеграцию кастомной логики в стек памяти по запросу конкретного клиента. Непосредственно HBM5, по оценкам Samsung, должна удвоить пропускную способность относительно HBM4E, но при этом снизить тепловое сопротивление на 20% благодаря использованию прогрессивной технологии терморегулирования.

Для сегмента ИИ-вычислений предназначена и память типа zNAND-O, которая базируется на V-NAND. Она устроена таким образом, чтобы минимизировать задержки при передаче данных между соседними компонентами вычислительных систем. Впервые Samsung представила концепцию Z-NAND в 2025 году, пообещав увеличение производительности в 15 раз и сокращение энергопотребления на 80%. По предварительным оценкам, Z-NAND будет до четырёх раз дороже обычной TLC NAND. В одном стеке будут объединяться до четырёх или восьми слоёв памяти.

Попутно на мероприятии FMS 2026 в Калифорнии Samsung Electronics рассказала о твердотельной памяти V10 BV-NAND с количеством слоёв более 400 штук, которая использует новую технологию формирования межслойных соединений. Впервые о технологии V-NAND компания поведала 13 лет назад. По сравнению с поколением V9, память V10 BV-NAND обеспечивает увеличение плотности хранения данных на 58%. Скорости чтения, записи и передачи информации по интерфейсу также увеличены по сравнению с памятью предыдущего поколения. Отмечается, что памятью типа V-NAND активно интересуется Nvidia, а в поколении V11 подобная память получит 500 слоёв.

Samsung напомнила, что начала поставлять образцы HBM4E своим клиентам ещё в мае этого года, а также первой начала массово выпускать HBM4 с использованием 4-нм базового кристалла и DRAM 10-нм класса (1c). Память типа HBM5 была показана на FMS 2026 в виде модели. Заодно была продемонстрирована память типа LPDDR5X-PIM, которая позволяет часть вычислительных операций выполнять без передачи информации в центральный процессор. Помимо повышения скорости обработки данных, такое решение позволяет снизить энергопотребление.

©  3DNews