Китайская Hangzhou Garen Semiconductor объявила о запуске первой в мире линии серийного выпуска гомоэпитаксиальных пластин из оксида галлия диаметром 6 и 8 дюймов. Компания называет это важным этапом на пути к массовому внедрению силовой электроники нового поколения.
Изображение сгенерировано Grok
Параллельно производитель сообщил о начале поставок 6-дюймовых пластин ведущим разработчикам микросхем. По заявлению Garen, производство уже вышло на стабильный серийный уровень, а с рядом клиентов заключены долгосрочные контракты.
Оксид галлия считается одним из самых перспективных материалов для силовых полупроводников. Он позволяет создавать компоненты, способные работать при более высоких напряжениях и температурах по сравнению с кремнием. Такие решения могут использоваться в электромобилях, высоковольтных сетях, системах хранения энергии, солнечной энергетике и телекоммуникационном оборудовании.
Сейчас основным ограничением отрасли остается размер пластин: большинство изделий из оксида галлия выпускаются на подложках 2–4 дюйма, что сдерживает масштабирование производства. Переход на форматы 6 и 8 дюймов должен заметно повысить выход годных чипов и снизить их себестоимость.
По данным компании, ей удалось разработать собственную технологию выращивания монокристаллов и оптимизировать процесс эпитаксии. Это, как утверждается, позволило повысить производительность, сократить расход иридия и снизить стоимость подложек более чем на 80%. Также заявляется, что 8-дюймовая пластина дает примерно в четыре раза больше микросхем по сравнению с 4-дюймовой.
© iXBT

1 час назад
1








English (US) ·
Russian (RU) ·